独インフィニオン・テクノロジーズは5月16日、風力発電・太陽光発電設備や産業用駆動装置のインバーターに使われるハイパワー半導体モジュール（IGBTハイパワーモジュール：IHM）の新製品「IHM-B Enhanced」を発売した。従来品より堅固な構造を採用したほか、熱伝導性の向上や熱抵抗を低減するなどの改良を加え、従来製品に比べ製品寿命を10倍以上伸ばした。
「IHM-B Enhanced」では、アルミニウムケイ素炭化物（AlSiC）ベースプレートと窒化アルミニウム（AlN）の回路基板を組み合わせることで、熱伝導性が改善されるとともに、熱抵抗性が16～18%低下した。2,400アンペアのシングルスイッチモジュールを例に挙げると、従来品の9.3ケルビン／kWから、7.8ケルビン／kWに削減された。また、モジュール作動時の放熱性も大幅に向上しており、チップやボンドワイヤーなど熱の影響を受けやすい部品の負荷を軽減しているという。
IHM-B Enhancedの量産は8月から開始する予定。
