独半導体最大手のインフィニオン・テクノロジーズとパナソニック（大阪府門真市）は10日、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの共同開発で合意したと発表した。両社のノウハウを組み合わせたGaNデバイスを両社がそれぞれ生産・供給できる体制を構築する。
両社は、シリコン基板上に実現したパナソニックのノーマリオフ（エンハンスメントモード）GaNパワーデバイス構造をインフィニオンの表面実装部品（SMD）と組み合わせる。パナソニックのGaNパワーデバイス構造をインフィニオンにライセンス供与することで合意した。
両社はDSO（Dual Small Outline）パッケージを用いた600V 70mΩのGaNパワーデバイスのサンプル製品を3月15～19日に米ノースカロライナ州シャーロット市で開催されるパワーエレクトロニクスのイベント「APEC（The Applied Power Electronics Conference and Exposition 2015）」に展示する。
