次世代GaN半導体開発・生産へ、インフィニオンとパナソニックが協業

半導体大手の独インフィニオンは3日、窒化ガリウム（GaN）ベースの第2世代パワー半導体（Gen2）をパナソニックと共同開発・生産することで合意したと発表した。両社は第一世代のGaNパワー半導体（Gen1）で協業しており、協力関係を拡大することになる。2023年上半期にGen2製品を市場投入する計画だ。

GaN半導体は窒素とガリウムを原料とする化合物半導体。シリコンを用いた従来の製品に比べ優れた特性を持ち、需要と用途が広がっている。

両社が共同開発したGen1はインフィニオンが「CoolGaN」、パナソニックが「X-GaN」の商標名でそれぞれ販売している。パナソニック・インダストリアルソリューションズ社の上田哲三事業開発センター所長は、「高い品質を持ち最新の画期的な開発に基づくGen1、Gen2デバイスを共同コンセプトの枠組みで利用できる」と述べた。