半導体大手の独インフィニオンは11日、パワー半導体向けの300ミリGaN（窒化ガリウ
ム）ウエハーの開発に世界で初めて成功したと発表した。1枚当たりの生産量が200ミ
リウエハーの2.3倍に上るうえ、既存のシリコンウエハー製造装置を利用できること
から、今後の需要拡大に低コストで対応できるとしている。ヨッヘン・ハーネベック
社長は「このブレークスルーは業界を変え、窒化ガリウムのポテンシャルを全面的に
引き出す」と意義を強調した。
墺フィルラハ工場にある300ミリシリコンウエハーのパイロット生産ラインで生産に
成功した。GaNとシリコンは製造プロセスが似ていることから、既存の300ミリシリコ
ンウエハー生産施設を利用できるという。
GaN半導体はSiC（炭化ケイ素）半導体とともに次世代パワー半導体の有望株と目され
ている。投入対象となる製品分野は幅広い。ただ結晶基板の製造が難しくコストが高
いことから、これまでは市場規模が小さかった。1枚当たりの生産量が多い300ミリウ
エハーを既存の生産ラインで量産できれば、低価格化が進むことから、需要の大幅拡
大が見込まれる。インフィニオンはGaN半導体製品が将来的にシリコン半導体と同等
のコストで生産できるようになるとみている。