自動車部品大手の独ボッシュは2日、SiCパワー半導体の量産を年内に開始すると発表した。電動車の増加を背景に大幅拡大が見込まれる需要を取り込む意向だ。ハラルド・クレーガー社長は「電動車向けSiCチップの生産で世界を主導する」と述べ、最大手になることに意欲を示した。
SiC半導体はシリコン (Si) と炭素 (C) で作られる化合物半導体。従来のシリコン半導体に比べ電力消費量と発熱によるエネルギー損失が少ないことから、電気自動車（EV）などの走行距離を拡大できる。冷却装置を小型化できることから車両の軽量化にもつながる。充電速度が速くなるメリットもある。
ボッシュはSiC半導体事業への参入を2年前に予告し、開発を進めてきた。今年初にはサンプルの出荷を開始していた。欧州連合（EU）の「欧州の共通利益に適合する重要プロジェクト（IPCEI）」の枠組みで国の補助金を受けている。
量産は西南ドイツのロイトリンゲンにある工場で行う。まずは直径150ミリのウエハーを用いて製造。将来的には200ミリを採用し、生産効率を高める考えだ。チップの年産能力（個数ベース）を1億のケタ台に増やすことを視野に入れている。
受注は極めて好調という。来年にも第2世代製品の生産を開始できるようにする。
調査大手ヨエルによると、SiC半導体市場は年率30％のスピードで拡大し、2025年には25億ドルを超える見通し。車載品はその6割に当たる約15億ドルを占める。