独自動車部品大手のボッシュは4月26日、米カルフォルニア州のローズビルに本社を持つ半導体メーカー、TSIセミコンダクターズ（以下、TSI）を買収すると発表した。ローズビルに15億米ドル（約13.9億ユーロ）を投資し、2026年から炭化ケイ素（SiC）ベースの200ミリメートル・ウエハーの生産を開始する計画。SiC半導体は特に、電動車向けの需要拡大が見込まれている。
TSIは、特定用途向け半導体（ASIC）向けに半導体チップを受託生産しているファウンドリーで、現在は主に、モビリティ、電気通信、エネルギー、ライフサイエンス分野の用途向けに、200ミリメートルのシリコンウエハーを開発・生産している。従業員数は250人。
ボッシュはローズビルへの投資により、2030年末までにSiC半導体の世界的な生産能力を大幅に増強する。
両社は、買収価格を公表しないことで合意している。取引成立には当局の認可が必要になる。
